三星的高端内存芯片二期一期项目产品下线

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3月10日下午，陕西省Xi高新区三星(中国)半导体有限公司正式下线上市。

据了解，三星高端存储芯片二期(第一期工程总价值70亿美元)已具备大规模生产能力，预计将于今年8月全面投产。三星高端存储芯片二期二期工程总投资80亿美元，于2019年底开工建设，预计2021年上半年竣工投产。

三星(中国)半导体有限公司副总裁池表示，由于COVID-19肺炎的影响，公司在2月份出现了物流不畅、原材料供应不足、人力不足等问题。然而，在陕西省、xi市、高新区和企业的共同努力下，公司一期工程在1月和2月保持了满负荷生产的业绩。

春节期间，三星(中国)半导体有限公司在原有全封闭生产的基础上，采取了多项“防疫”措施，如设置热成像温度计24小时捕捉温度，建立AB角和人员档案制度，生产没有停止。

为确保企业正常生产和供应链安全，Xi高新区成立了政府办的24小时服务企业，派驻防疫队指导工作，制定了详细的企业服务政策，协调交通管理部门安排车辆，帮助人力尽快返回Xi进行隔离，高效组织配套企业复工，协调异地应急生产原料调运，为企业持续生产保驾护航。

“作为内地改革开放的新高地，Xi正在建设国家中心城市和古丝绸之路的起点，在中国改革开放的进程中发挥着重要作用；三星在xi投资以来，与陕西省、Xi市和高新区的合作一直顺利而高效。三星半导体对Xi的经济发展充满信心！”迟表示，公司将增派人手，加强管理，做好防疫工作，实现既定目标。

三星(中国)半导体有限公司生产的主要产品是3D V-Nand闪存芯片，通过韩国总部出口到欧洲、美洲、东南亚等地。三星高端存储芯片项目于2012年落户Xi高新区。2019年，一期工程和包装测试工程全部实施，实现了全产能大规模生产，产值513亿元。

责任:吉爱玲

31739660，。三星高端内存芯片二期一期项目下线。2020-03-11 14:09:40，. 204433，.纪爱玲